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2017年02月 | ARCHIVE-SELECT | 2017年04月

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3D NAND型フラッシュメモリについて

【3D NAND型フラッシュメモリについて】

3D NANDフラッシュメモリを搭載したストレージが増えてきた
ので、今回は3D NANDフラッシュメモリについて書きます。



【3DNANDフラッシュメモリとは】
従来のNAND型フラッシュメモリは【フラッシュメモリとは】で
説明している素子を【SSDのデータ構造について】で説明してい
る様に平面に実装したものでしたが、


データ容量を上げる為に記憶素子の微細化をすると製造コストが
跳ね上がるのと、微細化する事で絶縁や記憶素子間で干渉する問
題が出たり、

素子自体を縮小出来ても電子のサイズは変えられない為、微細化
にも限界が来ていました。


そこで、平面実装していた素子列(bit Line)を中間で折り曲げて
縦に設置し、更に横に同じものを並べて配線する事で、面積辺り
の記憶素子の集積量を一気に増やす方式に変えました。

尚単純に記憶素子列を縦にしたのではなく、構造自体それ専用に
なっている
ので微妙に耐性が上がっている物もあります。



【3D NANDフラッシュメモリの素子】
3D NAND(素子)(クリックすると拡大)
東芝の方式で説明しますが、平面実装時と違い円筒形状の記憶素
となっています。

制御ゲートと半導体柱に電圧を加えると制御ゲートのある内側の
電荷捕獲層に電子が捕獲される事で数値の判定が出来ます。

因みに、平面実装の素子と違い円筒形状なので多少余裕が出来て
いますが、絶縁膜を破壊しながら電子を捕獲する方式自体は同じ
なので同様にいつか壊れます。


3D NAND(素子 他社例)(クリックすると拡大)
尚、半導体製造会社によっては画像の様に素子の形式が違ってい
ます。

画像は平面実装の素子の上を伸ばして横に制御ゲートを持ってき
て各制御ゲート毎に記憶する感じです。

また、他には電荷捕獲層ではなく従来のフローティングゲートを
利用している物も存在している様ですが、基本的に円筒形になっ
ているのは変わりません。



【3D NANDフラッシュメモリの構造】
3D NAND(構造)(クリックすると拡大)
此方も東芝の方式で説明しますが、bit Lineに折り曲げた素子列を
決められた数接続し、更にbit Lineを横並びにしてWord Lineで
記憶素子をつなげる事で読み書きします。

尚、基本的な1セットは左側のソースラインからソースラインまで
です。(点線で囲った部分)


気がついた人もいると思いますが、ソースラインと素子列の接続
部にN型半導体を置き、内部の半導体柱(P型)そしてPip Gateから
半導体柱に電圧を加える様にしているので、

制御ゲートで記憶素子となっている部分が増えていますが、方式
としては2D NAND型フラッシュメモリの素子と同じ
です。



【3D NANDフラッシュメモリの回路構造】
3D NAND(回路1)(クリックすると拡大)
上記の構造の図の1セット分を回路で表すとこうなります。

制御ゲート毎に1素子としているのが分かると思います。

3D NAND(回路2)(クリックすると拡大)
上記の回路図を並べて制御用の配線を素子につなげていくとこん
な感んじに立体的な配線になります。

尚、わかり難くなるので4つしか重ねていませんが、実際はもっと
並べて接続しています。(現状でも認識し難いですが)



【アクセスと消去単位】
立体的になっただけで基本的に従来と変わりません。

上記の回路図のWord Lineで接続された素子列単位がページ(書き
込みと読み込み単位
)になります。


今回から立体的に回路が配線されているので、消去はソースライ
ンからソースラインまでの1セットと、更に横の制御用の配線をし
た回路を一まとめで消去すると思われます。

当然ですが、仕様上一部だけ消すことや上書きは出来ません

全て書き換えになります。

平面実装時よりも大きいブロック単位で消去がされるの事になり
ますので、不具合時に消滅するデータも大きくなります。

データ管理により気を付けた方が良いかもしれません。



【2D 3Dでの耐久度の違い】
円筒形化して絶縁膜の面積が広がった分だけ多少耐久度は上がっ
ていますが、素子自体はほとんど変わりません。

但し、素子の集積度がかなり上がっているので2Dに比べたら全体
としては寿命は延びてはいます


MLCやTLCについては上記した様に素子自体の耐久度がそれほど
上がっている訳ではないので、2DのMLCと3DのTLCが同じ位の
耐久度になる事はありません。

全体としては近づいていますが、やはり電子量が2倍必要になるT
LC
では劣化が早いのは変わりません。

買うなら3D NANDでMLCの物を買った方が良いですね。



3DだからTLCでも前世代のMLCと変わらなくなった、と言う事は
無いので、うたい文句で宣伝していても引っ掛からない様にしま
しょう。



【関連記事】

フラッシュメモリとは
SSDのデータ構造について


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| ハードウェア | 22:29 | comments:0 | trackbacks:0 | TOP↑

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東芝への公的資金案と売却差し止めの検討

【東芝への公的資金案と売却差し止めの検討】

2月に東芝が半導体事業を子会社化して株を売却する予定
について書きましたが、

どうやら国が動きそうなので東芝の半導体事業についての
続きを書きます。



【関連記事】
1:東芝に公的資金案 半導体 米ファンドと「同盟」も
2:東芝の半導体事業売却、中国系なら中止勧告も 幹部
「情報漏洩などの懸念が生じる」




【公的資金案と外為法】
どうやら国が半導体事業の重要性に気が付いた様で、日本
政策投資銀行
産業革新機構(官民ファンド)等で共同出
し、

高い割合で株式を取得して発言権を高め、技術流出を防ぐ案
を検討している様です。

微妙に米国のファンドとも組む様なので多少心配ですが、大
筋としては技術情報を守る方針を取る様です。


更に、東芝のNAND型フラッシュメモリは公的機関のPCや携
帯端末、データセンターのサーバでも利用されているので、

技術情報が流出した場合に製造段階で回路に細工されると、
データ破壊で機密情報を失うの恐れがあるとし、

国の安全保障に関わる重要技術とみて外国為替及び外国
貿易法
の対象として株式売却先の対象を法で縛って流出防
止を強化する予定でもある様ですね。

データ破壊もそうですが機密情報の流出も危惧されるので、
本気で国が動きそうで何よりです。



【今後懸念される事】
高い確率で公的資金が投入されると思われますが、東芝本
社が助かったので、更にコスト削減の為に技術者をリストラし
ますとならない様にしないと駄目ですね。

特許を守っても技術者が流出した時点で情報も洩れると考え
た方が良く、企業的に技術情報を止めた意味がなくなります。

特に左の中台韓は技術者を数年で引き抜いて技術情報を盗
んだら捨てる
というのを繰り返しており、訴えられるまで無断
で使用して製造を続けます。


特許を無視する所に情報が一度流出してしまうとどうにもな
らなくなるので、企業的に守る事も重要ですが、技術者流出
による情報流出を防ぐ為に技術者に対する法を立法して縛っ
た方が良いですね。



国には企業で情報を守るだけではなく、人的にも守る様に隙
のない対策を取る事を願いたいですね。



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| 小話 | 03:00 | comments:0 | trackbacks:0 | TOP↑

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メインメモリのシングルランクとデュアルランクについて

【メインメモリのシングルランクとデュアルランクについて】

新CPUの登場で、メモリの制御形式によって組み合わせと速度が
違ってくることが判明しましたので、

今回はメインメモリのランクについて書きます。



【メモリのDRAM実装の種類】
メモリのDRAM実装の仕方
まずはメモリについて説明しますが、PCで処理をする為にOSやソ
フトのデータを読み込んで保持する役目がメモリにはあります。

上記のデータを保持する為の記憶装置をDRAM(Dynamic Rand
om Access Memory
)と呼びますが、メモリによっては画像の様
にDRAMの搭載の仕方が違います。


因みにDRAMの1枚毎の容量と全体のメモリ容量によって搭載され
るDRAMの枚数が変ります。

例えばDRAM1枚が512MBで片面8枚搭載している場合、合計40
96MBで4GBのメモリと言う事になり、

両面で16枚搭載の場合は、合計8192MBで8GBのメモリとなり
ます。


尚、全体の容量を増やす場合は搭載するDRAMの数を増やすか、
DRAM1枚当たりの容量を上げて対応しています。



【ランクとは】
CPUにあるメモリを制御するメモリコントローラが、DRAMから
データを入出力する時に制御するDRAMに繋がっている伝送路の
単位
ランクと呼びます。

1ランクに繋がっているDRAM全てを纏めて制御しています。
シングルランク(1)
例えば、片面実装で全てのDRAMが1つの経路でつながっている場
合はシングルランクと言う事になり、

デュアルランク(1)
両面実装で表と裏のDRAMにメモリコントローラから別経路で2
本繋がっていて、それぞれ別に制御されている場合はデュアルラ
ンクと言う事になります。

デュアルランク制御
尚、デュアルランクのメモリは1つしかない接続端子をランク毎に
競合しない様に交互にアクセスする制御になっています。


因みに一般用途では縁が無いですが、サーバ用に4経路のクアッド
ランクのメモリも存在している様です。



【1ランク辺りのデータ格納の仕方】
メモリはデータ格納時にランク辺り一括で制御しているDRAM全
てに分散
させる様にしています。

これは、搭載したDRAM全てに同時にデータを格納する事で速度
を稼ぐ事が出来るからです。


例えば集荷場があり4つの仕訳場所に4人がそれぞれついていると
して、(全て同じ場所に届ける荷物という前提)

4つの荷物が届いたとした時に1人だけで4つを一か所に運ぶより
も、4人で一つずつそれぞれの仕訳場所に同時に運んだ方が速い
ね、と言う様な感じです。

だから、DRAMに端から順にデータを格納して行っている訳では
ありません。



【ランク数とデータの関係】
メモリコントローラとDRAM間で1度にやり取りできる1ランク辺
りのデータ量(64bit)は決まっており、DRAMの枚数でそれを均
等に分割しているので、

1ランク辺りのDRAMの枚数が増えるほど、1枚当たりの対応デー
タ量が減ります。

なので、シングルランクで一括で制御するDRAMの枚数が多い場
合、1枚辺りの一度に転送できるデータ量が少ないので全体的にみ
ると遅くなります。


だから、仕様上1ランク辺りの枚数が少ないデュアルランクの方が
アクセス速度は速い事になる訳ですが、

一般用途だとそこまで差が出ないので気にする必要はないかもし
れません。

但し、サーバ用途高性能な内蔵GPUでメモリをVRAMとして使
している場合に影響が出るので、その様な用途の時は一考する
必要はあります。



【ランク数は外見からは判断できない】
DRAMが片面実装だからシングル、両面だからデュアルだと勘違
いされることがありますが、

ランクは多層構造な基板の内部配線によるのでメモリの外見から
判断できません。

シングルランク(2)
画像の様に両面実装でもシングルランクの物が存在したり、

デュアルランク(2)
片面実装でも詰め込めるだけ搭載してデュアルランクで制御して
いる物も存在しているので注意が必要です。

まあ、そもそもDRAMの実装枚数が多かったり速度が速いメモリ
は、冷却の為にヒートスプレッダでおおわれていてDRAMの実装
状態が見えない
から見た目で判断なんてできないんですけどね。

( ゚∀゚)アハハ八八ノヽノヽノヽノ \ / \/ \


シングルかデュアルかはメモリメーカーか代理店の公式サイトで
確認して下さい。



【例外】
基本的には外見を見ても分かりませんが、一部のヒートスプレッ
ダの無いメモリの中に、DRAMにx4x8と印字れている物があり
ます。

これは1DRAM辺りに割り当てられているデータ量を表しており、
1ランク辺り64bitを分割した時に1DRAM辺り4bitか8bit割り
当てられていると言う事が分かります。

つまり、両面実装時に片面8枚ずつで16枚のDRAMが搭載されて
いるとした時にDRAMにx8と印字されている場合は、

8 x 8 = 64で片面だけで64bitになってしまうので2ランクのメ
モリであると分かる訳です。

また、x4と印字されている場合は、8 x 4 = 32で片面で32bit、
両面合わせて64bitの1ランクのメモリであると判断できます。

例外として割り当てが印字されている場合のみDRAMから判断出
来るので覚えておくと良いと思います。



ランクの違いで対応速度が下がると言う事がおきる事があるので、
必ず確認してから購入した方が良いですね。


【メモリ関連】

Memory(メモリ)
メモリの選び方
メモリの多チャンネル駆動の話
メインメモリ(Main Memory)関連の注意
メモリがデフォルトで対応している速度について
メモリを増設、交換した時に処理速度が速くなる条件とは


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| ハードウェア | 13:06 | comments:0 | trackbacks:0 | TOP↑

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自分の行動でネット上で炎上した時の対処法

【自分の行動でネット上で炎上した時の対処法】

野球の国際大会で一人の少年が妨害行為をしたことで、ネッ
ト上で炎上している様なので、

今回は自分の行動で炎上した時の対処法について書きます。



【何があったのか】
野球の国際大会であるWBC(World Baseball Classic)で、
日本人選手のホームラン性の打球を観客席側からフェンスを
越えた状態で捕球
したせいで、ホームラン判定が2塁打に覆
ったと言う事がありました。



【何が問題だったのか】
フェンスより内側に打球がある状態はインプレー、つまり試合
進行状態
でありボールに触れた場合妨害行為に当たります。

本来ホームランになったであろう打球を、捕球したいが為に
東京ドームのホームラン判定用の補助フェンスを越えて手を
伸ばして捕球
した為、

試合進行を妨害して判定を下げさせた上に下手をすればアウ
トになって試合を壊していた可能性がありました。


上記が直接の原因ですが、少年の友人が迂闊にもTwitter
に捕球後の写真をアップしたのと、そのアカウントにリンクさ
れていた少年野球チームのサイトから、

捕球した少年が野球をやっている事が発覚して大炎上した
訳です。


私も試合を見ていたので、騒動が起きた時にこれは特定され
て炎上するのではないかと掲示板に見に行きましたが、

少年の友人が写真を上げていたので10分も立たずに名前ま
で特定されていて、激怒した熱狂的野球ファンに何かされる
のではないかと心配になりました。


野球をやっていてルールを把握しているはずであろう者が国
際大会の妨害をし、日本チームのホームの試合でへたをす
れば日本にペナルティが発生していた可能性を考えると、野
球ファンの怒りは当然ではあるのですけどね。

特にチケットを購入して試合を見に来ているファンの怒りは相
当でしょう。


因みに手を伸ばさなければ入っていなかったから元々2塁打
だったと擁護が見られますが、

ホームラン無効(枠有)
(分かり易いように球に枠を付けてあります)
↑の様にライトスタンド側のカメラの映像を確認すれば手を出
さなければフェンスを確実に超えてホームラン判定用の補助
フェンスを超えていたか、補助フェンスの上に当たっていたと
理解出来ると思います。



【問題を起こしてネット上で炎上した時は】
本題に入りますが、明確に自分に非がある問題を起こした時
は素直に謝罪をして下さい。

自分がどの様な行為を行ったことでどんな問題を起こしたの
詳細に正確に説明して詫びて下さい。

どういう行為に対して反省しているのか分かる様にしておか
ないと口先だけの謝罪と捉えられて鎮火しません。

本人であると分かる様に発信する必要もあるので、写真や
動画等があると信用されます。

尚、以下の事をすると火に油を注ぐ事になるのでやらない
様に。



【炎上時にやってはいけない事】
【SNS等のアカウントを消す】
問題が発覚して情報が拡散した時点でSNSの画像が保存さ
れて誰でも見れる状態になっているので、消しても無駄とい
うのもありますが、

逃げたと判断されてより掘り下げられる可能性があるので止
めて下さい。



【問題を起こした時の心情を書く】
起こした行動について問題にしているので、問題行動時のあ
なたの心情は関係ありません。

言い訳としか取られず、心証が悪くなるだけなので止めて下
さい。



【家族や関係者に擁護の書き込みをしてもらう】
確実に非がある状態で「○○だから許そう」「騒ぐ事じゃない」
「叩いている方が気持ちが悪い」と言った擁護をすると、

反省する気が無いと捉えられて特定が加速するだけなので
止めましょう。



【ネット対策(工作)業者に依頼する】
一番最悪な手段です。

ネット上の掲示板自体に書き込みによる業務妨害をしたり、
自演による不自然な擁護、嘘の書き込みによる情報の希釈
行為及び世論誘導等で対策を取ろうとしますが、

大半の手口は割れており、ある程度ネットサーフィンを経験し
ていれば不自然な擁護や誘導は直ぐに見破られて心証が最
悪に
なります。

本人処か家族周辺まで掘り下げられる可能性も出てくるので、
絶対に利用してはいけません。



【弁護士に相談すると宣言する】
他者が嘘を書いて炎上した場合は問題ないのですが、明確
に自分に問題があるにもかかわらず弁護士に相談すると言う
事を宣言すると、

情報の拡散者を攻撃する意思があると言う事を示している
と捉えられてもおかしくありません。

大抵拡散される情報はネット上に本人や関係者が元々上げ
ていた情報で、罪に問えず煽る事になるだけなので止めて
下さい。

物理的に危害が加えられそうな可能性がある場合に限り内
々で相談する様にしましょう。



問題行動を起こして情報が拡散した時は素直に謝罪をした
方が身の為ですね、非を認めて反省していると態度を示せば
大体鎮火します。

但し、反省した振りだけの場合は身近な所から情報が拡散
されて再燃しますが。

自分を擁護しようとすればするほど燃え上がるだけなので気
を付けましょう。



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| ネット関連 | 13:08 | comments:0 | trackbacks:0 | TOP↑

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一般消費者を騙す提灯ライターの話 2

【一般消費者を騙す提灯ライターの話 2】

前に書いた一般消費者を騙す提灯ライターの話が長くなっている
のと、新商品が出て酷い記事が上がっていたので、今回は続きと
して新しく書きます。



【基本的な情報について】
提灯記事とは何か、手口、ライターについては【一般消費者を騙
す提灯ライターの話
】で確認して下さい。



【PC系提灯記事の手口】

【対応していないベンチソフトで計測する】
新しい製品の制御仕様に対応していないベンチソフトで計測して
不正確な情報を根拠に嘘を書いている事があります。


特定の回路を使って処理する時はプログラムでその回路を使用す
る様に命令を書いておかないと処理に使用されません。

回路構造が新しく制御方法も変わっている場合、従来の命令指定
では回路全体が使用されなかったり、全く使用されない
でおかし
な数値が返されてしまいます。

上記の様な数値は指標にはなりえないわけですが、それを根拠に
ネガティブな印象を与えます。



(2018/2/13追記)
【高額パーツを引き合いに出して印象操作をする】
構成を比較する時に、意図的に高額なパーツを引き合いに出して
比較し、コストパフォーマンスが悪いかの様に書いている事があ
ります。



(2018/11/21追記)
【メモリのレイテンシで数値を細工する】
最近のCPUはJEDECの策定規格で選別されたDRAM搭載のメモリ
が出るよりも先に上位の規格にメモコンが対応している事がある
のでレビューにはOCメモリが使われる事が多いのですが、

比較対象側のメモリをメモコン対応の周波数に合わせてデフォル
トで動作する周波数で計っている様に見せかけて、レイテンシの
数値を少なくしてOC状態で計測
する細工をしている事があります。

メモリのレイテンシとはCPUからメモリにデータを読み込み命令
を出した後、実際にデータがCPUにあるキャッシュにデータが詠
み込まれるまでの待ち時間です。

つまり数値を少なくするほどデータの読み込みが早くなるので、
ネイティブで動作させるよりも性能が良くなります。


例えば持ち上げたい製品に対して使用し、性能が近い、又は上で
あるかの様に見せかける時に使用している事があるので注意して
下さい。


Core-i9 9900Kは2666対応だが、レイテンシを14-14-14にOC
した状態
で数値を計ってデフォルトの動作に見せかける等。

DDR4 2666のJEDECのレイテンシ規格は17-17-17、18-18-1
8、19-19-19、20-20-20であり、現在市販しているネイティブ
2666のメモリは基本的に19-19-19なので、

一般消費者がネイティブメモリを購入してデフォルトので動作さ
せてもレビューの様な処理能力は出ません。

レビューの構成とDDR4 SDRAM(WIKI)に載っている表で比較
しOCしていないか確認して下さい。



(2018/12/6追記)
【電源プランで消費電力を細工している可能性】
広告企業のレビューを見ると不自然にアイドル時の消費電力が低く
見えたり、高く見える事がありますが、

Windowsの電源プランを利用して都合よく数値を細工している可
能性があります。


どういう事かと言うと、現在のCPUは負荷率によって周波数が変
動する様になっているのですが、電源プランによって周波数変動
の制御の仕方が変わって消費電力も変わる
からです。


基本的にWindowsの電源プランは省電力、バランス、高パフォー
マンスとあるのですが、

省電力はCPUに設定してある最低周波数をアイドル時に使用し負
荷がかかった時だけ周波数を上げるが、負荷が下がると出来るだ
け早く最低周波数に落とそうとします。

バランスは、アイドル時は最低周波数にしているが、負荷が掛か
ると省電力設定より周波数が上がりやすく、負荷が下がっても周
波数はゆっくり下がって性能が落ち難くします。

高パフォーマンスは略定格の最高周波数より少しだけ低い周波数
をデフォルトで設定し、性能が常に出る状態にしているのですが、
電圧も常に高い状態になるのでアイドル時も消費電力が上がり
ます。

つまり、電源プランを変更する事でアイドル時の消費電力を低く
することが出来ると言う事です。


良く見せかけたい方はアイドル時に省電力で計測し、悪く見せか
けたい方は高パフォーマンスで計測する、と言う様な事をやって
いる可能性があるので注意が必要です。


また、最低周波数の違いも考えないといけません。

IntelのCPU最低周波数を1GHz以下に設定している物があり、
AMDのCPUやAPUよりデフォルトが低い事があるので、省電力プ
ランでもアイドル時の消費電力がその分低くなります。

周波数に対して掛けられる電圧も下がっているので低いのは当た
り前
なのですが、消費電力だけ数値化するとまるで全体的に消費
電力が低いCPUであるかの様に見せかけられる訳です。

なので、比較されているCPUやAPUの記事を見る時は、各CPUや
APUの省電力プラン時のアイドル時の周波数を調べる様にして下
さい。



【処理設定の実行を外す細工をしている可能性】
ソフト名が日本と海外で違うソフトの注意点】で触れています
が、GPUメーカーがソフト毎に処理を最適化する為に処理設定(A
pplication Profile
)を用意しており、

処理設定はソフトの実行ファイル名(.exe)を参照して実行される
様になっているので、実行ファイルの名を処理設定に登録して無
いファイル名に変えてしまう
と↑の記事に書いてある様にグラフ
ィックデータをフルロードして処理が遅くなります。

つまり、処理設定を意図的に外せば数値を落とすことが出来る訳
です。

ほぼ同じ構成で明らかにfpsが違っている事があったらこの細工を
疑って下さい。



【対応していないベンチソフトで計測している例】
4gamer:Ryzen 7 1800X(記事が出るまで下にスクロール)

2017/3/3に発売されたAMDの新CPUのRyzenですが、前世代
と全く違う回路構造に変わっており、キャッシュ周りの制御方法
も変わっているので、SiSoftwareのSandraやFinalwireのAID
A64
新しい処理構造に対応出来ていません

現在AMDと各社が協力して調整中 というレビューの中の1記事か
ら事前にAMDから情報が出ているはずなのですが、

その注釈も無い処か、不正確な数値を基にメモリ回りに問題があ
りゲームに向かないという嘘を書いています。

因みになぜ嘘かと分かるかというと、実際の実行結果が続々とネッ
ト上に動画としてアップされているからです。


【動画の例】
1:ワンズちゃんねる #311(後半) AMD RYZEN(WD2は1時
間辺)

2:Ryzen 1700 vs i7 7700K | An Unbiased Look at Ben
chmarks

3:Ryzen 1700 vs i7 7700K REVIEW | Best CPU Under $
350?

4:AMD Ryzen 1800X vs Intel i7-5960x vs Intel i7 6800
K Gam
ing Benchamark

5:Ryzen 7 1700 vs i5 6600k Test in 7 Games (GTX 106
0)

6:AMD Ryzen 7 1700 Test in 7 Games (GTX 1060)

ゲームに向かないというのは完全にですね。

動画を見た感じ提灯記事は、各ベンチの設定か数値をいじって細
工もしているのかも知れません。


載せてはいませんが、他の広告企業のレビューも注釈はしていて
もおかしな論調で説明していたりするのは、Intelから各社に送ら
れた催促メール
に従っての事かもしれません。



(2017/4/17追記)
【複合的なネガティブキャンペーンの例】
4Gamer:6コア12スレッド対応CPU「Ryzen 5 1600X」のオ
ーバークロックテスト。全コア4.2GHz動作にゲーマーは何を期待
できるか
(記事が出るまで下にスクロール)

【改良されたマイクロコード入りBIOSが無いMBを使用】
現状AMDによるマイクロコードの調節が現在進行形で行われてい
る状況ですが、

既に第一弾として出ている改良版のマイクロコード入りのBIOS
無いMBを選んで使用しています。


まずAGESAの説明が間違っていますが、AGESAはファームウェ
アでは無く、BIOSに含まれるCPUの制御用マイクロコード(制御
命令)の事です。

メモリコントローラもCPUに内蔵されている為、DRAM辺りの読
み込みも変化しているだけでMB全体用ではありません。

2017/4/10~4/12の時点でAGESA入りのBIOSを配布している
上位MBが複数存在しているにもかかわらず出ていないMBを使う
とは意図的に入っているBIOSが出ていないMBを選んでいると考
えてもおかしくないでしょう。



【4Core以下しか使わないゲームベンチを使用】
ゲームベンチに4Core以下しか使用しないものを集めて計測して
います。

1600Xは6Core、1800Xは8Coreなので性能の判断は出来ま
せん。



【磁界に影響がでる環境でクランプメーターを使用】
消費電力を計測するのに、送電ケーブルの送電時に発生する磁界
から逆算
するクランプメーターを使用している時点で話になりま
せん。

MB上が電子パーツだらけで磁界に影響を与える状況で正確な値が
出るわけが無いからです。

気温や地磁気で変動するゼロ調節が手動な為、調節せずに測って
いる可能性もあります。

但し、仮に調節していたとしてもどの道ノイズだらけの場所で測
っている
時点で話になりませんが。

後、IntelのCPUと違いストレージ用コントローラ(SATA)やUSB
コントローラがCPUダイに統合されている事で増えている電力に
ついての言及もしていません。



【まな板でMBが冷却されない状態でOCをしている】
ケースと冷却について】で前に説明していますが、まな板状態
でサイドフローのCPUクーラーを搭載した場合、MBが全く冷却出
来ません


上記の事がどうOCに関わってくるかと言うと、CPUに電圧を与え
るにはVRMという電源回路で電源ユニットから入力される12Vの
電圧をCPU用に変圧する必要があるのですが、

OC時に電圧を上げるとVRM発熱が上がる為、冷却しないと電気
抵抗が上がって信号送信に必要な電圧を確保し難くなり、OC耐性
が下がります



つまり、OC耐性を見る場合はケースに入れてVRMも冷やせる実際
の状況に近い状態にしないと意味がないと言う事です。

意図的に冷えない様にしてOC耐性が落ちる様にしています。

ネガティブな印象を与える目的だけの記事は本当に悪質ですね。



(2018/2/13追記)
【高額パーツを引き合いに出して印象操作をしている例】
4gamer:デスクトップPC向けRaven Ridgeはゲーマーの選択肢
になるか?
(記事が出るまで下にスクロール)

レビュー用に貸し出しているキットの構成は確実に動作させられ
る様に高額なパーツを入れている事が多いのですが、

一般販売しているメモリの価格帯を出さず、意図的にキットに組
み込まれていたメモリの価格だけで比較しています。

Core i5 8400 + GT 1030 + DDR4-2666 8GBx2で、22,00
0~23,000 + 9,200~11,500 + 22,000~25,000 = 53,200
~59,500円
で、

Ryzen 5 2400G + DDR4-3200 8GBx2(F4-3200C14D-16
GVK)は21,384 + 34,000 = 55,000円強になるので値段が変
わらずコスパが悪いという結論ありきの記事になっていますが、

3200 8GBx2のメモリは23,800円からあるしAPUは2933対応
なので、定格で使うなら24,381~27,000円程度の3000を選択
しても良い為、最安で45,000ちょいに抑えられます。

つまり実際は5,000~14,000円差が出るのに意図的に価格帯を隠
すことでコスパが悪い様な悪質な印象付けが出来る訳です。



前にも書きましたが、本当に日本の広告系サイトは役に立たない
し、それ処か一般消費者には害にしかなりません。

更に悪質な記事を参照してネガティブキャンペーンをネット上で
企業を使って展開させているので注意して下さい。



【提灯記事関連】

一般消費者を騙す提灯ライターの話
個人レビューの注意点


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